日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器
產(chǎn)品名稱: 日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器
產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品特點: 日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器?型號NanoCVD-8G(用于石墨烯合成)?型號NanoCVD-8N(用于碳納米管)無需使用大型制造設備,每批只需30分鐘即可輕松實現(xiàn)石墨烯/ CNT合成。CVD方法(化學氣相沉積)CVD法是已經(jīng)為多種目的而建立的穩(wěn)定技術(shù),并且當考慮將來石墨烯和CNT的大規(guī)模合成時是現(xiàn)實的方法。
日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器 的詳細介紹
日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器
特性- 無需使用大型制造設備即可輕松進行石墨烯/ CNT(SWNT)成膜實驗。
- 每批僅30分鐘!
- 冷壁型高效,高精度的過程控制
- 快速升溫:RT→1100℃/約3分鐘
- 具有高精度溫度流量控制和出色重現(xiàn)性的高性能機器
- 操作簡便!5英寸觸摸屏可進行操作和配方管理
- 多可以創(chuàng)建和保存30個配方,30個合成程序步驟
- 軟件為標準設備,輸出為CSV文件在PC上記錄數(shù)據(jù)
- USB電纜連接,在PC端創(chuàng)建配方→可以上傳到設備
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| 外型尺寸 | |
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| 主要規(guī)格A.主要規(guī)格 | | 1.反應室 | 不銹鋼SUS304泄漏檢查 | 2.加熱階段 | 陶瓷制成 | 3.相應的樣本量 | 20 x 40毫米 | 4.加熱加熱器 | 高純石墨加熱器Max1050℃ | 5.溫度控制 | K型熱電偶標準附件(安裝在加熱臺下) | | | B.過程控制設備規(guī)格 | | 1.氣體控制 | 質(zhì)量流量控制器x 3(Ar,H2,CH4) | 2.壓力控制 | 20托FS | 3.真空排氣 | 包括愛德華茲旋轉(zhuǎn)泵RV3(3立方米/小時) | 4.操作面板 | 正面安裝5英寸觸摸屏(歐姆龍制造) | 5.風冷 | 用冷卻風扇冷卻外殼內(nèi)部 | 6.控制系統(tǒng) | PLC自動過程控制 | | | C.軟件(標準附件) | | 1. nanoCVD軟件 | 標配(已安裝石墨烯的標準程序) | 2.界面 | USB 2.0連接 | 3.設置數(shù) | 多30個配方,30個程序創(chuàng)建和保存步驟 | | | D.氣體導入連接規(guī)格 | | 1.工藝氣體 | 1/4英寸世偉洛克卡套管接口,用于Ar,H2,CH4 x 3 | 2.載氣 | Φ6mm推鎖式管接頭,用于N2或Ar x 1 | | | E.安全裝置 | | 1.過熱 | 由加熱臺安裝熱電偶控制 | 2.機殼內(nèi)部過熱 | 從內(nèi)部溫度開關 | 3.氣壓異常 | 來自質(zhì)量流量控制器 | 4.真空度降低 | 來自真空傳感器 | | | F.實用程序 | | 電源 | AC200V單相50 / 60Hz 13A | 1.工藝氣壓 | 30psi 200sccm以下 | 2.載氣壓力 | 60-80磅/平方英寸 | | | G.尺寸/重量 | | 1.尺寸 | 405mm(寬)x 415mm(深)x 280mm(高) | 2.重量 | 約27公斤 |
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nanoCVD-8G(石墨烯)
納米CVD-8N(CNT)
帶旋轉(zhuǎn)泵的nanoCVD-8G
通過CVD化學氣相沉積法在短時間內(nèi)在金屬基底催化劑(Cu,Ni箔等)上合成單層石墨烯膜。nanoCVD-8G的基本操作方案是在石墨平臺上以醉高1100°C的高溫烘烤,并在減壓下供應原料氣體(甲烷),氮氣和氫氣。
◇◆標準設備配置◆◇
- ●用于石墨烯生成,真空過程控制
- ●標配旋轉(zhuǎn)泵(選件:TMP,擴散泵或干泵)
- ● 3個供氣系統(tǒng)(標準)
- ●樣品臺大1100℃
- ● K型熱電偶
*以下選項也可滿足其他要求的實驗目的(單獨討論)。
- ●增加氣體導入口(改變和增加氣體種類)
- ●增加干泵系統(tǒng)
- ●增加額外的腔室/加熱臺并改變臺結(jié)構(gòu)
使用nanoCVD-8G樣品加熱臺] [nanoCVD-8G后面板]生產(chǎn)的石墨烯的拉曼光譜
日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器